Brak towaru

AORUS Gen4 5000E - SSD - 2 TB - wewnętrzny - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe)

Symbol: 46489900

Dostępność: Brak towaru

Cena: 487.01

Cena: 487.01

szt.

Dostępność i dostawa

Wysyłka w ciągu: 48 godzin
EAN:
4719331857875
GIGABYTE AORUS Gen4 5000E SSD 2TB
Manufacturer GIGABYTE
Manufacturer Part No AG450E2TB-G
 
Product Features
  • Podnieś poziom wrażeń w grach
    Zbudowany z wysokiej jakości kontrolera i pamięci flash 3D TLC NAND, dysk SSD AORUS Gen4 5000E zapewnia do 5000 MB/s sekwencyjnego odczytu i 4600 MB/s sekwencyjnego zapisu. Dzięki wykorzystaniu technologii Host Memory Buffer, kontroler SSD może uzyskać dostęp do pamięci DRAM hosta bez utraty wydajności. Jeśli chodzi o funkcje, AORUS Gen4 5000E SSD obsługuje technologie TRIM, SMART i Over-Provision w celu poprawy niezawodności i trwałości dysków SSD. AORUS Gen4 5000E SSD pozwala użytkownikom cieszyć się płynniejszą i szybszą rozgrywką przy większej wydajności energetycznej.
  • Poprawa wydajności i szybkości reakcji
    Wyposażony w solidne połączenie kontrolera i nowej generacji pamięci 3D TLC NAND, dysk SSD AORUS Gen4 5000E zapewnia niesamowitą prędkość: do 5000 MB/s dla sekwencyjnego odczytu i do 4600 MB/s dla sekwencyjnego zapisu. Wydajność odczytu sekwencyjnego dysków SSD PCIe 4.0 jest do 30% wyższa niż dysków SSD PCIe 3.0. Dysk SSD AORUS Gen4 5000E zapewnia szybki dostęp do komputerów.
  • Bufor pamięci hosta (HMB)
    Funkcja Host Memory Buffer (HMB) wykorzystuje DMA (bezpośredni dostęp do pamięci) PCI Express, aby umożliwić dyskom SSD korzystanie z części pamięci DRAM w systemie PC, zamiast wymagać od dysku SSD dostarczania własnej pamięci DRAM.
  • Oszczędność energii podczas pracy
    Dysk SSD AORUS Gen4 5000E wykorzystuje kontroler, który zapewnia niższe zużycie energii dla wszystkich potrzeb związanych z wysoką wydajnością obliczeniową. W porównaniu ze zwykłym dyskiem SSD PCIe 4.0 x4, dysk SSD AORUS Gen4 5000E zmniejsza zużycie energii o około 30% podczas pracy. Zużycie energii przez dysk SSD AORUS Gen4 5000E jest znacznie niższe.
Ogólne
Rodzaj urządzenia SSD - wewnętrzny
Pojemność 2 TB
Typ pamięci NAND 3 komórki czterostanowe (QLC)
Rodzaj obudowy M.2 2280
Interfejs PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Cechy NVM Express (NVMe) 1.4, wsparcie TRIM, Host Memory Buffer (HMB), z obsługą DMA, Over Provision, S.M.A.R.T.
Szerokość 22 mm
Głębokość 80 mm
Wysokość 2.3 mm
Wydajność
Wytrzymałość SSD 580 TB
Szybkość wewnętrzna danych 6500 MBps (odczyt) / 6000 MBps (zapis)
Niezawodność
MTBF 1,500,000 godziny
Rozszerzenie i łączność
Interfejsy 1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatybilna Wnęka M.2 2280
Zasilanie
Zużycie energii 6.2 wat (odczyt)
6.5 wat (zapis)
5 mW (tryb L1.2)
Różne
Zgodność z normami FCC, RoHS, UKCA, EAC
Gwarancja producenta
Obsługa i wsparcie Gwarancja ograniczona - 5 lat / 580 TBW
Parametry środowiska
Minimalna temperatura pracy 0 °C
Maksymalna temperatura pracy 70 °C
Min. temperatura przechowywania -40 °C
Maks. temperatura przechowywania 85 °C
Technical data provided by third party. We assume no liability for errors within these data.
Parametry:

Dane producenta

Gigabyte Technology Co. Ltd.
NO. 6, BAO CHIANG ROAD
231 Xindian Dist., New Taipei
Taiwan

EU.grp@gigabyte.com

Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
Zadaj pytanie