![[{[item.product.name]}]]([{[item.product.photo.url]}] 75w)
Dysk SSD HIKSEMI FUTURE 512GB M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 2280 (7050/4200 MB/s) 3D TLC
Symbol: HS-SSD-FUTURE(STD)/512G/PCIE4/WW
Dostępność: Brak towaru 0 szt.
Cena: 320.57
Cena: 320.57
Koszyk jest pusty
Do bezpłatnej dostawy brakuje -,--
Darmowa dostawa!
Podsumowanie zamówienia
Suma Netto 0,00 zł
Suma Brutto 0,00 zł
Cena uwzględnia rabaty
Brak towaru
Wpisz swój e-mail
Dostępność i dostawa
Wysyłka w ciągu:
48 godzin
EAN:
6974202725310
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 7050 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4200 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 900.0
Odczyt losowy: 710000 IOPS
Zapis losowy: 640000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 3.66 W, AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667, Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection, RAID5 & 6, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C
Gwarancja producenta [mies.]: 60
Format dysku:
M.2 2280
Gwarancja producenta [mies.]:
60
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
Odczyt losowy:
710000 IOPS
Pojemność dysku:
512 GB
Prędkość odczytu (max):
7050 MB/s
Prędkość zapisu (max):
4200 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
2000000 h
TBW (ang. Total Bytes Written):
900.0
Technika zapisywania danych:
TLC
Typ dysku:
SSD
Typ kości pamięci:
3D NAND
Zapis losowy:
640000 IOPS
Dane producenta
Hangzhou Hikstorage Technology Co., Ltd
Building 2, 399 Danfeng Road, Binjiang District
310000 Hangzhou
China
salessupport@hiksemitech.com
Osoba odpowiedzialna
INCOM GROUP S.A.
MOKRONOSKA 6
52-407 WROCŁAW
Poland
+48713588000
info@incomgroup.pl