![[{[item.product.name]}]]([{[item.product.photo.url]}] 75w)
Dysk SSD Samsung 9100 PRO 4TB M.2 2280 PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 (14800/13400 MB/s)
Symbol: MZ-VAP4T0BW
Dost臋pno艣膰: Brak towaru 0 szt.
Cena: 2638.27
Cena: 2638.27
Koszyk jest pusty
Do bezp艂atnej dostawy brakuje -,--
Darmowa dostawa!
Podsumowanie zam贸wienia
Suma Netto 0,00 z艂
Suma Brutto 0,00 z艂
Cena uwzgl臋dnia rabaty
Brak towaru
Wpisz sw贸j e-mail
Dost臋pno艣膰 i dostawa
Wysy艂ka w ci膮gu:
48 godzin
EAN:
8806095811703
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ ko艣ci pami臋ci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe NVMe
Pr臋dko艣膰 odczytu (max): 14800 MB/s
Pr臋dko艣膰 zapisu (max): 13400 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 2400.0
Odczyt losowy: 2200000 IOPS
Zapis losowy: 2600000 IOPS
艢redni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Pami臋膰 zapisu: Samsung V-NAND TLC, Wymiary: Maks. 80,15 x Maks 22,15 x Maks 2,38mm, Waga: Maks. 9 g, Interfejs: PCIe5.0 x4 NVMe 2.0, Dopuszczalne napi臋cie 3,3 V 卤 5 %, Temperatura pracy: 0掳C - 70掳C, Odporno艣膰 na wstrz膮sy: 1.500 G oraz 0,5 ms (p贸艂 sinusa), Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
Gwarancja producenta [mies.]: 60
Format dysku:
M.2 2280
Gwarancja producenta [mies.]:
60
Interfejs:
M.2 PCIe NVMe
Odczyt losowy:
2200000 IOPS
Pojemno艣膰 dysku:
4 TB
Pr臋dko艣膰 odczytu (max):
14800 MB/s
Pr臋dko艣膰 zapisu (max):
13400 MB/s
艢redni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
TBW (ang. Total Bytes Written):
2400.0
Technika zapisywania danych:
TLC
Typ dysku:
SSD
Typ ko艣ci pami臋ci:
V-NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Zapis losowy:
2600000 IOPS
Dane producenta
SAMSUNG ELECTRONICS SP. Z O.O.
ul. Marynarska 15
02-674 Warszawa
Poland
info@samsung.com
Osoba odpowiedzialna
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support