Brak towaru

Dysk SSD Samsung 990 EVO Plus 2TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 (7250/6300 MB/s)

Symbol: MZ-V9S2T0BW

Dost臋pno艣膰: Brak towaru

Cena: 1870.12

Cena: 1870.12

szt.

Dost臋pno艣膰 i dostawa

Wysy艂ka w ci膮gu: 48 godzin
EAN:
8806095575650
Rodzina dysk贸w: 990 EVO Plus

Pojemno艣膰 dysku: 2 TB

Format dysku: M.2 2280

Typ dysku: SSD

Typ ko艣ci pami臋ci: V-NAND

Technika zapisywania danych: TLC

Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak

Wsparcie dla technologii TRIM: Tak

Interfejs: M.2 PCIe NVMe

Pr臋dko艣膰 odczytu (max): 7250 MB/s

Pr臋dko艣膰 zapisu (max): 6300 MB/s

TBW (ang. Total Bytes Written): 1200.0

Odczyt losowy: 1000000 IOPS

Zapis losowy: 1350000 IOPS

艢redni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h

Informacje dodatkowe: Pami臋膰 zapisu: Samsung V-NAND 3-bit TLC, Wymiary: 80.15 x 22.15 x 2.38 mm, Waga: Maks. 9 g, Interfejs: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, Dopuszczalne napi臋cie 3,3 V 卤 5 %, Temperatura pracy: 0掳C - 70掳C, Odporno艣膰 na wstrz膮sy: 1.500 G oraz 0,5 ms (p贸艂okres sinusoidy), Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)

Gwarancja producenta [mies.]: 60
Parametry:
Format dysku:
M.2 2280
Gwarancja producenta [mies.]:
60
Interfejs:
M.2 PCIe NVMe
Odczyt losowy:
1000000 IOPS
Pojemno艣膰 dysku:
2 TB
Pr臋dko艣膰 odczytu (max):
7250 MB/s
Pr臋dko艣膰 zapisu (max):
6300 MB/s
Rodzina dysk贸w:
990 EVO Plus
艢redni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
TBW (ang. Total Bytes Written):
1200.0
Technika zapisywania danych:
TLC
Typ dysku:
SSD
Typ ko艣ci pami臋ci:
V-NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Zapis losowy:
1350000 IOPS

Dane producenta

SAMSUNG ELECTRONICS SP. Z O.O.
ul. Marynarska 15
02-674 Warszawa
Poland

info@samsung.com

Osoba odpowiedzialna

SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland

www.samsung.com/support

Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
Zadaj pytanie