Brak towaru

Transcend MTE652T - SSD - 256 GB - wewnętrzny - M.2 2280 - PCIe 3.0 x4 (NVMe)

Symbol: 3844591

Dostępność: Brak towaru

Cena: 359.07

Cena: 359.07

szt.

Dostępność i dostawa

Wysyłka w ciągu: 48 godzin

Dysk SSD MTE652T M.2 firmy Transcend jest wyposażony w interfejs PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 i jest zgodny ze specyfikacjami NVM Express (NVMe) 1.3, aby osiągnąć niespotykane dotąd prędkości transferu. Dysk MTE652T wykorzystuje najnowocześniejszą technologię 3D NAND, która umożliwia pionowe ułożenie 96 warstw chipów 3D NAND flash. W porównaniu do 64-warstwowej pamięci 3D NAND, ta przełomowa gęstość znacznie poprawia wydajność pamięci masowej. Dysk MTE652T jest wyposażony w pamięć podręczną DRAM zapewniającą szybki dostęp i jest w pełni testowany wewnętrznie, aby zagwarantować niezawodność w zastosowaniach o znaczeniu krytycznym, szczycąc się wytrzymałością 3 tys. cykli programowania/kasowania.

TRANSCEND 256GB M.2 2280 PCIe Embedded SSD Gen3x4 M-Key 3K PE 3D TLC
Manufacturer TRANSCEND
Manufacturer Part No TS256GMTE652T
 
Marketing Description
Dysk SSD MTE652T M.2 firmy Transcend jest wyposażony w interfejs PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 i jest zgodny ze specyfikacjami NVM Express (NVMe) 1.3, aby osiągnąć niespotykane dotąd prędkości transferu. Dysk MTE652T wykorzystuje najnowocześniejszą technologię 3D NAND, która umożliwia pionowe ułożenie 96 warstw chipów 3D NAND flash. W porównaniu do 64-warstwowej pamięci 3D NAND, ta przełomowa gęstość znacznie poprawia wydajność pamięci masowej. Dysk MTE652T jest wyposażony w pamięć podręczną DRAM zapewniającą szybki dostęp i jest w pełni testowany wewnętrznie, aby zagwarantować niezawodność w zastosowaniach o znaczeniu krytycznym, szczycąc się wytrzymałością 3 tys. cykli programowania/kasowania.
Product Features
  • Wbudowana pamięć podręczna DRAM
  • Wytrzymałość: Gwarantowane 3 tys. cykli P/E (cykli programowania/kasowania)
  • Interfejs PCIe Gen 3 x4
  • Zgodność ze specyfikacją PCI Express 3.1
  • Zgodność ze specyfikacją NVM Express 1.3
  • Obsługa poleceń NVM
  • Technologia buforowania SLC
  • Wbudowana funkcja LDPC ECC (kod korekcji błędów)
  • Dynamiczne ograniczanie temperatury
  • Zgodność z normami RoHS 2.0
Ogólne
Rodzaj urządzenia SSD - wewnętrzny
Pojemność 256 GB
Typ pamięci NAND 3D triple-level cell (TLC)
Rodzaj obudowy M.2 2280
Interfejs PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Cechy ECC Recovery LDPC, dławienie termiczne, cache SLC, pamięć podręczna DRAM
Szerokość 22 mm
Głębokość 80 mm
Wysokość 3.58 mm
Waga 9 g
Wydajność
Liczba Zapisów Dysku Dziennie 1
Szybkość wewnętrzna danych 1700 MBps (odczyt) / 1600 MBps (zapis)
Maksymalny zapis losowy 4KB 125000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB 165000 IOPS
Niezawodność
MTBF 1,500,000 godziny
Rozszerzenie i łączność
Interfejsy 1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatybilna Wnęka M.2 2280
Zasilanie
Zużycie energii 0.6 wat (tryb czuwania)
3.5 wat (aktywny)
Różne
Zgodność z normami FCC, BSMI, RoHS2
Gwarancja producenta
Obsługa i wsparcie Gwarancja ograniczona - 3 lata
Parametry środowiska
Minimalna temperatura pracy 0 °C
Maksymalna temperatura pracy 70 °C
Min. temperatura przechowywania -40 °C
Maks. temperatura przechowywania 85 °C
Dopuszczalna wilgotność 5 - 95%
Odporność na wstrząsy (podczas pracy) 1500 g @ 0,5 ms
Odporność na drgania (podczas pracy) 3 g @ 5-800 Hz
Odporność na drgania (w stanie spoczynku) 5 g @ 5-800 Hz
Technical data provided by third party. We assume no liability for errors within these data.
Parametry:
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
Zadaj pytanie